RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Super Talent F21UB8GS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Super Talent F21UB8GS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2200
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link