RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Comparar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
39
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.1
11.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3419
2725
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparações de RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332S 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link