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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
32
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.1
8.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3419
2271
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparações de RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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