RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB против Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Средняя оценка
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
9.8
Скорость записи, Гб/сек
12.1
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3419
2271
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Сравнения RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link