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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
総合得点
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
総合得点
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
32
周辺 22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.4
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
8.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR5
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
32
読み出し速度、GB/s
13.4
9.8
書き込み速度、GB/秒
12.1
8.6
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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