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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
73
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
73
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1744
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
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Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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