RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
71
Por volta de 48% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
71
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1956
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link