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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
52
Por volta de 46% menor latência
Razões a considerar
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
52
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2814
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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