RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2353
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link