RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
10.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2499
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link