RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
22.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
17.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3938
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link