RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2924
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link