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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
51
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2286
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
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