RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
64
Por volta de 56% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
64
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2052
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link