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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de 64% menor latência
Razões a considerar
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
77
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1809
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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