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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3527
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
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