RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3527
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link