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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3527
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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