RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3527
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link