RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2931
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link