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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2013
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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