RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2013
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link