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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
26
读取速度,GB/s
12.8
14.2
写入速度,GB/s
9.0
7.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2013
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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