RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de -81% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3692
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link