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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.1
17.4
写入速度,GB/s
7.8
14.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3692
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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