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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
49
周辺 -81% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
10.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
27
読み出し速度、GB/s
10.1
17.4
書き込み速度、GB/秒
7.8
14.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2070
3692
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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