RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3692
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link