Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 49

Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 27
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 17.4
Скорость записи, Гб/сек

7.8 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 3692

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB

A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

модули RAM