RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3692
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link