RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
53
54
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
53
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2301
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link