RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2049
3396
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link