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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Confronto
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
51
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
7.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
27
Velocità di lettura, GB/s
10.2
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.6
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2049
3396
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-014.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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