RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
89
104
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
89
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
1518
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link