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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
89
104
左右 -17% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
89
读取速度,GB/s
3,192.0
13.6
写入速度,GB/s
2,404.5
6.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1518
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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