RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
104
Por volta de -235% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3115
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link