RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
17.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
104
Por volta de -247% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
17.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3860
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link