RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
17.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
104
En -247% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3860
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link