RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
104
Por volta de -352% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3171
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link