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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
104
En -352% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3171
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
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