RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
104
En -352% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3171
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link