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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
104
Por volta de -333% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
10.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2731
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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