RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
104
Por volta de -333% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2991
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link