RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
104
Por volta de -285% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2600
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link