RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
104
Por volta de -247% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3527
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link