RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
15.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
104
Por volta de -447% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
19
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3397
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5471-011.A00LF 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link