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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Pontuação geral
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Pontuação geral
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 19.2
    Valor médio nos testes
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    20 left arrow 69
    Por volta de -245% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.8 left arrow 1,441.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    69 left arrow 20
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,325.1 left arrow 19.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,441.2 left arrow 14.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    525 left arrow 3326

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB Comparações de RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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