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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
69
左右 -245% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
20
读取速度,GB/s
3,325.1
19.2
写入速度,GB/s
1,441.2
14.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3326
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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