RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
69
Por volta de -229% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
13.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2769
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link