RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
21.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
69
Por volta de -306% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
17
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
21.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
17.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3714
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link