RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
66
69
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
66
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
7.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
1877
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link