RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
53
69
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
53
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
9.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2301
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD3-1333 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link