RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
69
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
38
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3206
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link