RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
69
Por volta de -116% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
8.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2585
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link